本产品主要应用于12英寸集成电路（IC）领域原子层低介电常数（Low K）薄膜侧墙沉积工艺，能够显著降低侧墙薄膜介电常数的同时降低刻蚀速率，灵活可调的介电常数和刻蚀速率有利于后续工艺整合；该产品可实现全自动工艺运行并兼具原位自清洗功能，有效控制微小颗粒、降低维护时间以提高设备利用率；采用高精度温度场控制、先进的气流场控制和优异的微环境控制技术，可批量处理12英寸晶圆以实现高产能生产。