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    THEORIS SN302D Adv

    12英寸立式氮化硅低压化学气相沉积炉

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    THEORIS SN302D Adv 12英寸立式氮化硅低压化学气相沉积炉
    THEORIS SN302D Adv 12 Inch Vertical SiN LPCVD Furnace
    本产品主要应用于12英寸集成电路(IC)领域 低压化学气相 氮化硅(SiN)薄膜沉积,Film厚度可覆盖5nm~400nm,兼容高/低温成膜工艺(630℃~780℃),可实现平面及沟道高质量成膜,台阶覆盖率达95%以上,工艺窗口覆盖面广,可替换部分小批量处理机型工艺,WPH可提升45%以上。该机台可进行全自动工艺流程,系统主要由传输?、工艺模块、控制?楹透绞羯璞腹钩伞?墒迪衷磺逑、温度自对准Tuning等功能,有效控制颗粒,提升机台膜质均匀性(面内<1%),降低维护时间,节约人力,为客户提供高效,低成本的优质设备。
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